感應加熱電源的核心器件是電力半導體功率器件，電力半導體器件的制造水平(功率容量、工作頻率、失效率、損耗等)決定了感應加熱電源的技術水平。半導體功率器件在整臺感應加熱設備中的價值通常不會超過20%~30%，但其對整個設備的總價值、質量、尺寸與技術性能，起著至關重要的作用。當前電力半導體功率器件的制造技術水平，比20世紀90年代又有了很大提高，隨著場效應晶體管(MOSFET)模塊、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT) 模塊的高電壓、大電流產(chǎn)品的等級升級，工作頻率的提高，感應加熱設備應用MOSFET、IGBT模塊越來越普遍，尤其在大功率逆變感應加熱電源中，采用IGBT作為功率開關器件具有較大的優(yōu)勢，已逐漸成為現(xiàn)代感應加熱電源的主流功率器件，1200A/4. 5kV的IGBT已成為商品，單模塊功率容量已達幾兆伏安，工作頻率已達100kHz以上，具有較高的可靠性，失效率為1300Fit 。

鄭州曰佳全數(shù)字感應加熱設備采用的是進口英飛凌IGBT模塊，對于加熱的電流大小和頻率的把控十分精準且迅速，使得日佳數(shù)字機在齒輪淬火等要求較高的領域有著很強的優(yōu)勢。